產品介紹

NEMST-RIE2018 series

反應性離子電漿蝕刻機

反應性離子電漿蝕刻機
反應性離子電漿蝕刻機
  • 專利高密度感應耦合式(ICP)電漿源: ~1011~1013/cm3。
  • 每循環單面處理。
  • 特殊散氣盤設計，確保電漿均勻產生。
  • 產品承載機構通入偏壓(DC Pulse 或 RF)。
  • 可調整電極與產品間距。
  • 可大面積進行反應性離子蝕刻。
  • 可以選配反應結束偵測功能(End Point Detection)。
  • 可以達成非等向性、高深寬比之蝕刻目標。
  • 依客戶需求，可以處理6吋、8吋、12吋晶圓，最大可以處理660 mmx 660 mm的板子。
  • 可以使用自由基或離子進行高速蝕刻。 高度蝕刻均勻度。 (可達93%以上) 可以在低壓力下產生高密度電漿。
  • 電漿密度以及離子能量之偏壓可以分別獨立控制。
  • 高分子材料： Polyimide (PI)、Parylene、FR4、BT、Teflon (PTFE) 等。
  • 矽基材料： 單晶矽 (Si)、多晶矽 (Poly-Si)、非晶矽 (a-Si)。
  • 鈍化與保護層： 氮化矽 (Si3N4)、氧氮化矽 (SiON)。
  • 介電材料： 二氧化矽 (SiO2)、High-k 與 Low-k 材料。
  • 化合物半導體： GaN、SiC、GaAs、InP 等第三代半導體材料。
  • 金屬與合金： 鋁 (Al)、鈦 (Ti) 及其相關合金、阻障層金屬。
  • 特殊材料： 藍寶石 (Sapphire)、鑽石 (Diamond)、ITO 導電膜、PZT 壓電材料。
  • 先進封裝製程： CoWoS、2.5D/3D IC、FOWLP、FOPLP。
  • IC 載板技術： mSAP（改良型半增層法）、ABF/BT 載板製程。
  • 顯示技術應用： Micro-LED 結構蝕刻、表面活化與清潔。
  • 半導體週邊製程： 晶圓再生 (Wafer Reclaim)、各類光阻去除 (Ashing)。
  • 表面處理應用： 表面活化、粗糙度改善、親水性/疏水性改質。